FF200R06KE3 DATSEET, карактеристики и индустриски апликации
2025-04-03 168

FF200R06KE3 од Infineon Technologies е моќна компонента што се користи за ефикасно управување со потребите за голема моќност.Овој модул е ​​спакуван во мала големина, но дава високи перформанси со напредна технологија IGBT и специјални карактеристики за подобра ефикасност.Оваа статија ги објаснува клучните карактеристики, дизајнот и придобивките на модулот, нагласувајќи ја нејзината улога во различни апликации.

Каталог

Преглед на FF200R06KE3

На FF200R06KE3, изработена од Infineon Technologies, е двоен изолиран модул на портата биполарен транзистор (IGBT) кој се издвојува со своите спецификации 600 V, 200 A.Заграден во компактен пакет од 62 мм, ја комбинира технологијата Trenchstop ™ IGBT3 со емитер контролирана 3 диода.Оваа интеграција ја зголемува ефикасноста и перформансите, што го прави врвен избор за апликации за кои е потребно робусно управување со електрична енергија.

За оние што бараат да постават наредби за најголемиот дел, FF200R06KE3 нуди сигурно и високо-перформанси решение за да ги задоволи вашите потреби.

Карактеристики на FF200R06KE3

• Оценки за напон и струја: Способни за ракување до 600 V и 200 A, што го прави погоден за апликации со голема моќ.

• Напредна технологија: Ги користи Trenchstop ™ IGBT3 и емитер контролирани 3 диоди технологии за оптимизирани карактеристики на префрлување, вклучително и подобрена мекост и намалени загуби на префрлување.

• Висока работна температура: Наменето да работи на температури до 150 ° C, обезбедувајќи сигурност во услови на барање.

• Стил на монтирање: Се одликува со дизајн на завртки за безбедна и директна инсталација.

• УЛ/ЦСА сертификација: Сертифициран под UL1557 E83336, состанок на строги стандарди за безбедност и перформанси.

• Усогласеност на ROHS: Во согласност со ограничувањето на директивата за опасни материи, како одраз на неговиот еколошки дизајн.

Спецификации на FF200R06KE3

Максимални оценети вредности

Карактеристични вредности

Дијаграм на коло FF200R06KE3

Дијаграмот на колото ја покажува внатрешната структура на модулот FF200R06KE3 IGBT.Се одликува со два транзистори на IGBT поврзани со конфигурација на половина мост, што е вообичаено за префрлување апликации како што се инвертори и моторни погони.Терминалите 1 и 3 се собирачи на секој IGBT, додека терминалите 2 и 4 се емитери.Секој IGBT е спарен со анти-паралелна диода, дозволувајќи им на струјата да тече во спротивна насока за време на префрлувањето.Терминалите 5 и 6 ги претставуваат контролите на портата за IGBT, а Терминалот 7 е заедничка емитерска врска.Овој распоред поддржува ефикасно префрлување и сигурно закрепнување на обратното време преку вградените диоди.Тој е дизајниран да управува со високи струи и напон со намалена загуба на електрична енергија.FF200R06KE3 е практично решение за системи на кои им е потребно стабилно, преклопување со високи перформанси.

FF200R06KE3 Алтернативи

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 Апликации

Погони контролирани со фреквенција

Оптимизираните карактеристики на префрлување на модулот, како што се намалени загуби на префрлување и подобрена мекост, подобрување на перформансите и ефикасноста на системите за инвертер.​

Индустриски моторни погони

Способен за ракување со високи струи и напони, FF200R06KE3 е добро прилагоден за контрола на големите индустриски мотори, обезбедувајќи сигурна и прецизна работа на моторот.

Напојување

Високите можности за ракување со моќност на модулот го прават идеален за употреба во единиците за снабдување со електрична енергија кои бараат ефикасна конверзија и управување со енергија.

Системи за обновлива енергија

Во апликации како што се конверзија на соларна и ветерна енергија, FF200R06KE3 може да се искористи за управување со ефикасното пренесување и конверзија на енергија од обновливи извори.

Преглед на пакетот FF200R06KE3

Дијаграмот за пакување на FF200R06KE3 покажува детален механички распоред на модулот.Тој користи стандардно куќиште од 62 мм, со должина од 106,4 мм и ширина од 62 мм.Модулот има три главни терминали за напојување, секој расположен рамномерно на 28 мм, со дупки за монтирање на двата краја за безбедна инсталација.Висината на куќиштето е околу 30 мм, вклучувајќи ги и терминалните иглички.Вклучува контролен конектор за 7 пини (DIN46244-A2.8-0.5-Bz) на страната за контрола на сигналот на портата и емитер.Цртежот исто така наведува длабочина на монтирање (минимум 7 мм, максимум 10 мм) и толеранции според стандардите ISO2768.Овој стандардизиран преглед ви помага лесно да го интегрирате модулот во вашите дизајни со прецизно монтирање и жици.

Придобивки од FF200R06KE3

Висока ефикасност: Користејќи ја напредната IGBT технологија, модулот постигнува низок пад на напонот на напон, што резултира во намалени загуби на спроводливост и подобрена целокупна ефикасност.

Робусна термичка изведба: Наменето за добра термичка стабилност, FF200R06KE3 може да работи ефикасно во услови на висока температура, обезбедувајќи постојани перформанси и долговечност.

Лесна употреба: Модулот има дизајн на монтирање на завртки, олеснувајќи ја директната и безбедна инсталација во различни системи.​

Компактен дизајн: Со должина од 106,4 мм, FF200R06KE3 нуди компактен фактор на форма, овозможувајќи ефикасно користење на просторот во рамките на опремата и системите.​

Производител

Infineon Technologies AG, со седиште во Neubiberg, Германија, е водечки глобален производител на полупроводници.Основана во 1999 година како спин-оф од Сименс АГ, Инфинеон стана една од првите десет полупроводнички компании во светот.Компанијата вработува приближно 58.000 луѓе и објави продажба од околу 15 милијарди евра во 2024 година.

FF200R06KE3 наспроти FF200R12KE3 Споредба

Параметар	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Колекционер-емитер напон (vCES)	600 V.	1200 V.
Континуирана струја на колекционерот (јасВ)	200 а	200 а
Тип на пакет	62 мм	62 мм
IGBT технологија	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
Диода технологија	Емитер контролирана 3 диода	Емитер контролирана диода со висока ефикасност
Температура на оперативниот спој (тvj op)	До 150 ° C.	До 125 ° C.
Колектор-емитер напон на заситеност (vCESAT)	1,9 V на VГе = 15 V, IC = 200 a	2.0 V на V.Ге = 15 V, IC = 200 a
Влезен капацитивност (CIE)	13.0 НФ	14.0 НФ
Капацитет за обратна трансфер (CRES)	0,5 NF	0,5 NF
Полнење на портата (QG)	1,9 μc	1,9 μc
Внатрешна отпорност на портата (rgint)	3,8 Ω	3,8 Ω
Вклучување на времето за одложување (тг (на))	0,25 μs	0,25 μs
Време на пораст (TR)	0,09 μs	0,09 μs
Времето за одложување на исклучување (тД (исклучено))	0,55 μs	0,55 μs
Време на есен (ТФ)	0,13 μs	0,13 μs
Вкупна дисипација на електрична енергија (стртота)	680 w	1050 W.
Напон на тест за изолација (vИзо)	2500 V.	2500 V.
Тежина	340 g	340 g
Стил на монтирање	Монтажа за завртки	Монтажа за завртки
Сертификација	UL1557 E83336	UL1557 E83336
Усогласеност на Рохс	Да	Да

Заклучок

Накратко, модулот FF200R06KE3 од Infineon Technologies покажува иновации во управувањето со електрична енергија.Тој е дизајниран да поддржи широк спектар на апликации што бараат со висока ефикасност и стабилни перформанси.Оваа статија покажува зошто FF200R06KE3 е сигурен избор за секој што има потреба од напредни решенија за напојување, што го прави вредна алатка во современите индустриски поставки.

Податоци за податоци PDF

FF200R06KE3 DATSEET:

FF200R06KE3.PDF
FF200R06KE3 Детали PDF
FF200R06KE3 PDF - DE.PDF
FF200R06KE3 PDF - fr.pdf
FF200R06KE3 PDF - ES.PDF
FF200R06KE3 PDF - It.pdf
FF200R06KE3 PDF - KR.PDF